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前驅體

前驅體通常指的是在材料制備過程中,一種用于合成或制備其他物質的中間形態的物質。在半導體制造的薄膜沉積工藝中,前驅體是關鍵材料,主要用于氣相沉積(包括物理沉積PVD、化學氣相沉積CVD及原子氣相沉積ALD)鍍膜過程,以形成半導體制造要求的各種薄膜材料,也可用于半導體外延生長、刻蝕(shi)、離子注入摻雜(za)以(yi)及清(qing)洗等。

二氯二氧化鉬

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用作含鉬薄膜的重要鍍膜前驅體
四氯化鉿

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用于高端集成電路制造ALD/CVD工藝中的high-k 薄膜沉積前驅體;合成含鉿薄膜前驅體的關鍵原料
TEMAH

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ALD/CVD的前驅體,用于含鉿薄膜沉積;有機鉿金屬催化劑合成
TEMAZ

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ALD/CVD的前驅體,用于含鋯薄膜沉積;有機鋯金屬催化劑合成
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TEOS

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關鍵CVD/ALD硅基前驅體之一,廣泛應用于SiO2 薄膜沉積。
五氯化鉬

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用作氯化催化劑;用于制備有機金屬化合物,如六羰基鉬。
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四甲基硅烷

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ALD/CVD前驅體材料,主要用作試劑、航空燃料、溶劑、核磁共振試劑。
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茂鉿

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異丙氧基乙基鋅

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