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半導體零部件

我們為您提供(gong)半(ban)導體(ti)設備的(de)核心零部(bu)件，包括但不(bu)限于質量流量控制器(MFC)、噴(pen)淋頭(tou)、加(jia)熱(re)器、腔體(ti)、靜電(dian)(dian)卡盤、碳化硅部件(jian)、特種陶(tao)瓷制品(pin)、射頻電(dian)(dian)源、真(zhen)空泵和閥門、波紋管、非接觸輻射高溫(wen)計等，此外我們(men)還可(ke)提供專業(ye)的氣路(lu)解(jie)決方案。

金屬加熱器

我們憑借專業和獨特的工藝設計，基于客戶需求，通過建模和仿真模擬，精準提供具有熱均勻性好、高耐腐蝕性和工作溫度范圍寬的高性能加熱器。此類產品被設計用來支撐和加熱晶圓，廣泛應用于等離子體和電子束環境。

金屬加熱器

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腔體

腔體是半導體設備中參與晶圓制備反應工序的關鍵部件，為晶圓生產提供耐腐蝕、潔凈和高真空環境，是提供工藝反應場景的核心容器，其密封性良好與否對系統是否滿足所需條件起關鍵性作用。

腔體

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噴淋頭

噴淋頭在晶片反應中起著直接作用，負責將外部反應氣體均勻引入腔室，在晶片上形成一致的涂層。特殊工藝氣體通過噴淋頭的小孔均勻地沉積在晶片表面，確保晶片表面膜層的均勻性和一致性。隨著芯片進入高工藝階段，對設備顆粒控制的要求也越來越嚴格。顆粒的大小和數量已成為清潔工作的重中之重。因此，打孔精度、孔內毛刺去除及表面處理是生產噴淋頭的主要技術壁壘。

噴淋頭

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靜電卡盤

我們憑借成熟的設計和分析能力、高精度制造技術以及高標準的綜合管理系統，為設備廠商提供高耐用度、高強度、高熱導率和高抗熱震性的靜電卡盤。此類產品可在寬工作溫度范圍內的使用，廣泛應用于等離子體環境。

靜電卡盤

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氮化鋁陶瓷激光熱沉

使用高熱導率氮化鋁基板基于DPC工藝進行表面金屬化，再結合晶圓級光刻工藝與PVD鍍膜工藝進行預制金錫，使其具有高熱導率與優越的熱膨脹系數適配性能。作為關鍵的熱管理器件，被廣泛應用于光通信、激光加工、醫療等領域，高效散熱以保證設備穩定運行。

氮化鋁陶瓷激光熱沉

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聚焦環

聚焦環由結晶度良好的碳化硅SiC多晶組成。產品采用了自主研發的CVD沉積技術，結合負壓沉積工藝與獨特的表面處理技術，有效提升了產品的耐用性。

聚焦環

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陶瓷管殼&PZT壓電陶瓷致動器

紅外探測器封裝滿足第一代和第二代制冷和非制冷紅外探測器的要求。我們的產品可廣泛應用于消防、汽車制造等領域。

陶瓷管殼&PZT壓電陶瓷致動器

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陶瓷基板 & 陶瓷結構件

陶瓷結構件覆蓋電子、醫療器械、特種燈具、特種刀具、半導體制造、光刻機、通信、大型窯爐、高溫載具等領域，其中氮化硅AMB覆銅陶瓷基板已具備一定產能。

陶瓷基板 & 陶瓷結構件

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質量流量控制器（MFC）

MFC是一種自動監測、測量和控制氣體流量的緊湊型設備，由比例調節閥門、質量流量計和控制器（信號放大校準、PID控制與通訊電路）相結合的裝置。我們的產品不僅有獨特的雙閥設計，可通過對照表和壓力降來對流量進行實時監測和更正，還有經典的熱式、改進的壓力式產品，能覆蓋各行業客戶的不同需求。我們的產品可以應用在晶圓制程的沉積、蝕刻、清洗、離子注入、金屬布線、擴散等工藝中，同時也廣泛應用于光纖、科學儀器、鍍膜等行業。

質量流量控制器（MFC）

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壓力控制器（PC）

先導的數字化壓力控制器 (DPC) 默認配置成底座 1.125″ (28.6 mm) 寬、金屬密封的壓力控制器，適用于廣泛的應用場景，適合于 100 ~ 350 KPa(A) 控壓范圍，精控范圍為滿量程的 2~100%。該產品目前支持上游控壓模式，提供 EP 選項，表面平整度為 5μ-inch，可良好地適用于高潔凈度制程。

壓力控制器（PC）

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流量比例控制器（FRC）

先導元創流體的流量比例控制器使用特殊的控制閥來提高晶圓的一致性和晶圓與晶圓間的一致性。這是目前行業內響應最快的流量比例控制器，響應時間小于1秒，可應用于刻蝕等工藝。

流量比例控制器（FRC）

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壓力傳感器

先導高精度壓力傳感器，采用先進微加工硅技術 MEMS 芯、特殊的充油介質隔離、扎實的抗干擾電路設計，具不銹鋼內外結構界面，配置了多種壓力連接方式，并能提供多種不同的電輸出信號和方式，更能快速滿足客戶特殊定制需求。

壓力傳感器

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氣體過濾器

先導高純氣體過濾器，耐450℃極端工況，并為高純氣體應用提供最高1.5納米的顆粒過濾，實現更高的工藝氣體吞吐量。可應用于未來先進器件、光伏、生命科學和鋰離子電池。

氣體過濾器

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EPD-OES 光學發射光譜法終點檢測系統

通過分析腔室中的反應物或生成物的特征光譜強度隨時間的變化進行工藝終點判斷。可用于顯示面板、太陽能硅片 / 電池片、晶圓等泛半導體制程中的終點檢測，提高產品良率，降低生產成本。

EPD-OES 光學發射光譜法終點檢測系統

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微波電源

915MHz 75kW的微波電源已經通過了工藝測試,在批量生產中。先導的微波
電源能媲美MKS的微波電源。可根據客戶需求,定制915MHz 30kW~100kW
的產品,2.45GHz的微波電源也在開發中。廣泛應用在MPCVD、加熱解凍干
燥、石英提純、醫療度棄物處理,半導體等領域。

微波電源

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熱電制冷器

高性能，高可靠性的單級及多級熱電制冷器。采用自研的碲化鉍基熱電材料，具有高 Z 值系數及高抗屈強度的材料特點。制冷器使用半導體加工工藝制造，具有良好的尺寸一致性及內部晶粒裝配精度。可定制的陶瓷材料，表面工藝，焊接材料及端子連接方式，方便滿足不同領域的應用需求。

熱電制冷器

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半導體水浴恒溫槽

VMS - TEB - ***L 系列的半導體水浴恒溫槽整機采用先進的內循環 / 外循環泵系統。內循環通過半導體制冷器和先進的 PID 控溫程序保證內腔溫度均勻恒定，外循環泵可以把槽內恒溫液體的熱量引到第二恒溫場。產品采用高亮 SUS304 不銹鋼結構，具備高耐蝕性，更適用潔凈室使用；該系列產品具有較高的 COP，高，低功耗，高性能，控制精度高，內置液檢測開關及多種報警裝置，安全耐用，運行數據和報警信息可以同步上傳到 PC 系統。

半導體水浴恒溫槽

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MOCVD原位監測系統 VSI Link RTC - 100

MOCVD 外延生長過程中 , 需要對生長的各種參數和設備狀況進行原位實時
監測和控制 , 以便有效實現外延生長，避免廢品，提高重現性和設備效能。
VSI Link RTC-100 原位監測系統有非接觸輻射溫度計、反射率計、翹曲率計 ,它們實現的原位監測功能有：溫度測量和加熱控制、外延生長的薄膜厚度和生長速率測量、外延生長時的材料應力及翹曲測量。